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打破国外垄断！季华实验室又有突破性技术创新！
近日，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的SiC高温外延装备，取得突破性进展。该装备的成功研制将解决我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备全部依赖进口的“卡脖子”问题。
SiC外延是SiC器件生产过程中的核心工艺，生产成本占器件生产过程的22%，其生产装备被欧美等发达国家垄断。该装备的成功研制将解决我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备全部依赖进口的“卡脖子”问题。
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来源：季华实验室
编辑：佛山新闻网 潘汶蔚
校对：罗静文
审校：陈伟民、冯艺影、杨洁怡、何锦婷